随着高长纵比硅微通道阵列在其应用领域发挥的作用越来越大,电化学刻蚀硅微通道技术也得到了广泛的关注,然而关于光电化学腐蚀硅微通道阵列硅中空穴输运特性的研究很少,光生空穴的激发和硅材料内部载流子的输运直接影响硅微通道阵列的刻蚀结果。本文以硅的表面特性为基础,利用硅材料能带结构阐述了光照辅助电化学腐蚀硅微通道阵列载流子的输运原理；以N型硅为研究对象,扫描了扩散和离子注入两种工艺加工硅片的Ⅰ-Ⅴ特性曲线,对比不同欧姆接触层对空穴激发的影响；分别在不同辐射光波长、光照强度下进行实验,确定激发光生空穴最佳波长为850nm；分别在不同腐蚀电压和不同温度条件下进行实验,扫描了对应的光电流曲线并利用金相显微镜对阵列形貌进行观察；根据晶体中的电离杂质和晶格振动散射机制,研究了温度和腐蚀电压与空穴迁移率之间的关系并进行了实验工艺优化。其最佳腐蚀条件是：光源为18×18LED阵列,电压为0.6V-0.5V降压,温度设定为13℃,腐蚀时间10小时。