硼掺杂纳米金刚石膜结合了掺硼金刚石膜良好的导电性能和纳米金刚石膜表面光滑、摩擦系数低等优点，在许多高新技术领域具有更为广阔的应用前景。本文采用直流热阴极PCVD设备，在间歇模式和连续生长模式下制备硼掺杂纳米金刚石膜。具体工作如下： 1、对于在间歇模式下制备的掺硼金刚石膜来说，适量硼的掺入可以改变其晶粒尺寸、结晶取向及薄膜表面平整度。而当硼流量过高时，晶粒尺寸增大，晶界和缺陷增多，薄膜品质下降。掺硼后，金刚石（111）面的生长得到加强，而其它晶面的生长却受到了抑制。对沉积时间的研究表明，随着沉积时间的增加，晶粒尺寸逐渐增大，在沉积时间为20min,甲烷流量为8sccm，硼酸三甲酯流量为10sccm时制备出了粒径约为10～20nm，品质良好的硼掺杂纳米金刚石膜。 2、采用在金刚石膜生长气氛中充入氩气的方法制备掺硼金刚石膜，研究结果表明，随着氩气与氢气流量比的增加，金刚石晶粒尺寸逐渐降低，膜的导电性能变好。当氩气与氢气流量比达到190/10时合成的薄膜为硼掺杂纳米金刚石膜。对于气压影响的实验研究表明，较高气压和较低气压都有助于二次形核，但低气压条件下合成的掺硼金刚石膜中大晶粒的含量更少。 3、制备硼和氮共掺杂金刚石膜，探究制备硼掺杂纳米金刚石膜的最佳条件。结果表明，当氮气流量为6sccm时，金刚石晶粒细化，尺寸减小到纳米量级，薄膜表面均匀致密。通过对样品的Raman光谱和XRD谱分析得出，氮气的掺入使薄膜中非金刚石相含量增加，金刚石薄膜的纯度降低，并且对掺硼金刚石膜的（100）取向的生长起到了一定的促进作用。