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近十几年来，有机超导、有机光电二极管、电化学发光电池、有机固体激光和有机自旋注入与输运等重要的科学发现，使得有机光电材料越来越受到人们的重视。人们对高分子聚合物的电导及其光学特性进行了广泛的理论研究，并取得了一些突破性的进展。
本文基于全电子密度泛函理论，以典型的模型共轭聚合物反式聚乙炔为研究对象，计算了C<,120>H<,122>和C<,121>H<,123>(n=1，5)中的元激发的构型与荷电量的关系。结果表明：
1)C<,121> H<,123>n(n=0～5)的最低能态结构中只有类孤子和类孤子晶格。孤子的数目(n<,s>)与荷电量的关系为n=2×Int(n/2)+1。这里，Int(n/2)表示对，n/2取整。
2)C<,120>H<,122>(n=0～5)的最低能态结构中，当n为奇数时，仅在链的中间形成一个类极化子，其它的元激发为类孤子：当，n为偶数时，所有的元激发均为类孤子。在我们的计算范围内，无论，n是奇数还是偶数，孤子的数目(n<,s>)与荷电量的关系为，n=2×Int(n/2)。
3)在C<,120>H<,122><4->和C<,121>H<,123><(2～5)->的最低能态结构中观察到自旋为零的类孤子晶格。
4)所有的中性或带电的元激发都是弱局域的。与类极化子相比，类孤子的局域性较好。
本文的计算结果，在全电子密度泛函理论的层次上增进了我们对于电子一晶格相互作用和电子．电子相互作用在带电聚乙炔中元激发形成的理解。