p型μc-Si：H薄膜微结构和光电性能的研究

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【摘要】

：

微晶硅薄膜电池兼具有晶体硅电池和薄膜电池的优点，被视为硅基薄膜太阳电池的下一代技术。在pin型微晶硅(μc-Si)薄膜太阳电池中，p层作为电池的窗口层，对电池性能有着重要影响。p型氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜要求具有高的晶化率、高的电导率和宽的光学带隙，因此，对p型μc-Si∶H薄膜微结构和光电性能的研究对提高电池的效率有很重要的意义。本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技

【作者】

：

汪昌州

【机构】

：

郑州大学

【发表日期】

：

2007年05期

【关键词】

：

太阳电池 p型μc-Si:H薄膜 RF-PECVD 掺杂

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