ZnO是一种直接带隙宽禁带II-VI族化合物半导体材料，特别是掺杂的ZnO薄膜不仅具有类金属的导电性，而且对可见光表现出高透过率。由于ZnO薄膜具备成本低廉、在氢等离子体环境中稳定性高以及容易实现低温沉积等优点，所以在薄膜太阳电池、紫外探测器、发光器件、薄膜晶体管以及平板显示器等领域具有很大的开发潜力，也是最有希望替代ITO薄膜的材料。本文采用射频磁控溅射技术制备了Sn掺杂的ZnO（TZO）薄膜、Al与Sn共掺杂的ZnO（ATZO）薄膜以及AZO/p-Si异质结，研究了Sn溅射功率、衬底温度、生长时间对TZO、ATZO薄膜性能的影响，研究了退火对AZO/p-Si异质结整流特性和光生伏特效应的影响。通过研究得出以下主要结果：1、TZO薄膜：首先通过优化Sn的溅射功率，得出当Sn溅射功率为20W时，TZO薄膜可以获得最小的电阻率为6.99×10^-2cm，在400⁹00nm波段平均透过率为77.19%，具有最小的腐蚀电流密度2.59×10^-8A/cm2和最大的极化电阻1.20×10⁶；然后研究了衬底温度对薄膜性能的影响，衬底温度由30℃升高到160℃，薄膜的结晶质量得到改善，导电性提高了1.43倍；最后研究了生长时间对TZO薄膜性能的影响，随着生长时间增加，薄膜的结晶质量逐渐变好，平均透过率最高可达80.35%，电阻率最低可达5.04×10^-2cm。2、ATZO薄膜：首先通过优化Sn的溅射功率，得出当Sn溅射功率为5W时，ATZO薄膜可以获得最小的电阻率为1.49×10^-3cm，在400⁹00nm波段平均透过率为88.77%；当Sn溅射功率为10W时，ATZO薄膜具有最小的腐蚀电流密度1.30×10^-8A/cm2和最大的极化电阻1.40×10⁶；然后研究了衬底温度对薄膜性能的影响，衬底温度由30℃升高到160℃，薄膜的结晶质量得到改善，导电性提高了2.55倍；最后研究了生长时间对ATZO薄膜性能的影响，随着生长时间增加，薄膜的结晶质量逐渐变好，平均透过率最高可达90.90%，电阻率最低可达6.93×10^-4 cm。3、AZO/p-Si异质结：对退火前后AZO/p-Si异质结的整流特性和光生伏特效应进行了研究，结果表明退火可以改善异质结的整流特性和光生伏特效应。经过退火之后，异质结的整流比是原来的4.71倍，理想因子更趋近于2，光电转换效率提高了0.81%。