光开关是光纤通信系统中光交换的核心器件。传统光开关由于多种不可避免的因素限制了它们的响应时间,而全光开关由于具有良好的光学性能和更加高速的开关速度受到研究者的重视和研究。在本文中,对基于InGaAsP/InP有源光子带隙布拉格结构的半导体多量子阱超快全光开关进行了理论研究。这种全光开关为了避免载流子的累积效应利用光学斯塔克效应的非线性机制,采用近共振激发方式。当量子阱周期满足修正的布拉格条件,并且当布拉格反射谱的中心频率等于量子阱中阱层重空穴激子的共振频率时,该量子阱结构可以形成与一维光子晶体结构相同特征的光子禁带,利用线宽较窄且处于该禁带中的泵浦光,使光开关具有很大的非线性以及ps量级的恢复时间,因此能形成THz的全光开关。本文还进行了低压金属有机化合物气相外延沉积(LP-MOCVD)技术的工艺生长,通过光致发光谱测试和X射线双晶衍射测试分析外延片的结晶质量。研究分析了生长温度、压强、Ⅴ/Ⅲ比、Ⅴ/Ⅴ比、Ⅲ/Ⅲ比和中断生长技术对外延片结晶质量的影响。通过大量实验掌握了InGaAsP/InP和InAsP/InP量子阱MOCVD工艺生长的各种条件和参数,同时根据实验测试数据建立了InGaAsP/InP量子阱结构的激子波长和布拉格反射波长随温度的变化关系,并对相关的理论参数进行了实验修正。根据量子阱的组分设计,可以改变全光开关的工作波长,使其运用于光纤通信波段。