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微机电系统(MEMS)自上个世纪80年代诞生以来,就不断的推动着制造技术向微型化发展。其中利用电化学方法进行微纳米尺度的加工方法,引起了人们的广泛关注。相对于传统的微加工技术,如IC工艺、电子束与离子束加工等,电化学加工方法具有其独特的优势:加工分辨率高、工艺简单、成本低廉、加工表面无残余应力等,使得越来越多的研究者将目光聚集到这一研究领域。磷化铟作为第二代半导体材料,是一种非常重要的光电材料,对其进行微结构加工具有重要意义。本论文围绕约束刻蚀剂层技术在半导体材料磷化铟表面上进行复杂三维微纳结构的复制加工进行研究,并且成功地加工出了具有高分辨率的阵列微光学结构。论文主要工作与结论如下:1、通过元素化学和同类化合物半导体材料之间化学性质的比较探讨,结合电化学测试与腐蚀失重测量,选择了HNO3/HCl及Br2/HCl作为对磷化铟的刻蚀体系。通过循环伏安特性曲线测量与分析对所选体系进行了考察与验证,确定了对应的捕捉剂NaOH与L-胱氨酸。2、利用标准铂圆柱电极对于两种所选体系进行了微孔刻蚀加工研究,通过对刻蚀结果的分析,最终选择Br2/HCl/L-胱氨酸作为磷化铟加工的刻蚀体系;通过系统的刻蚀加工实验表明:当L-胱氨酸与所加入的NaBr的比值为3:1时,能取得比较好的加工精度,初步确定了在具体加工条件下Br2/HCl/L-胱氨酸体系的刻蚀加工分辨率。3、利用CELT技术在磷化铟表面进行微光学阵列元件的加工,成功地在n-InP表面加工出了大面积微光学凹透镜阵列结构。对直径为102.91μm,高度为10.757μm的微凸透镜模板,在其径向的刻蚀加工精度为0.99μm,相对误差0.9%;高度方向的刻蚀加工精度为0.44μm,相对误差为4.1%。实验结果表明,采用CELT技术能够在n-InP表面进行微纳光学阵列元件的加工,加工分辨率在亚微米级别。CELT作为一种新型的电化学加工技术,具备加工复杂三维微结构的能力,更深入的研究必将进一步提高其加工分辨率,使其具有良好的应用前景。