【摘 要】
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n型半导体钒酸铋(BiVO_4)在可见光范围内具有明显的吸收,具有良好的光催化性能,已成为光催化领域中的一个热门研究对象。但钒酸铋的量子效率不高、光生电子-空穴对易发生复合、对可见光的吸收有限等缺点,使钒酸铋光催化剂离实际应用仍存在较大的距离。采取合理的改性手段增加BiVO_4材料对太阳光的吸收强度以及光生载流子的迁移速度,提高光生电子-空穴的分离效率,从而提高BiVO_4的可见光催化性能将具有重
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n型半导体钒酸铋(BiVO_4)在可见光范围内具有明显的吸收,具有良好的光催化性能,已成为光催化领域中的一个热门研究对象。但钒酸铋的量子效率不高、光生电子-空穴对易发生复合、对可见光的吸收有限等缺点,使钒酸铋光催化剂离实际应用仍存在较大的距离。采取合理的改性手段增加BiVO_4材料对太阳光的吸收强度以及光生载流子的迁移速度,提高光生电子-空穴的分离效率,从而提高BiVO_4的可见光催化性能将具有重要的科学意义和经济效益。本论文通过金属掺杂、贵金属负载和构建异质结复合材料等手段,对BiVO_4半导体材
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