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本文对发光二极管和GaN基材料性质进行了研究。文章从理论上分析了在赝形应变下AlGaN的能带结构和弯曲系数，并通过对AlxGa1-xN能带间隙的理论结果和实验结果进行了分析比较；通过改变AlxGayIn1-x-yN组分的大小，得到在与衬底品格匹配的情况下不同的材料禁带宽度；应用价力场模型(VFF)研究了AlxGayIn1-x-yN的热动力稳定性；得出了AlGaInN不稳定的二相区间，并且定量讨论了两种组分确定的AlGaInN合金的富In区与温度的关系。