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本文主要研究以BaTiO3基陶瓷介质材料为基础，通过掺杂改性、添加玻璃和不同的制备工艺实现高热稳定性、高介电性能、低温烧结的目标，制造出了满足电子工业协会(Electronic Industries Association,EIA)标准的X7R、X8R、X8R-BX、X9R以及具有超宽温度范围(-55℃到230℃)稳定性的陶瓷介质材料。并且运用现代微观分析手段XRD、SEM等，对其内在机理进行了分析。主要的研究内容及结果如下：1.我们在BaTiO3基陶瓷材料中，添加5wt%ZnO-B2O3、改变制备工艺，成功的降低了烧结温度，实现低温烧结(烧结温度850℃~930℃)，性能参数如下：室温介电常数ε25oC≥2500,介电损耗tanδ≤1.0%,-55℃到125℃范围内最大电容量变化率不超过±10%。另外，对BaTiO3基陶瓷材料进行改性，添加CaTiO3等添加剂，进行了钽电容器替代产品的探索性研究，并且成功制备了具有正温度特性的BaTiO3基陶瓷介质材料。2.我们分别讨论了Ho2O3、Er2O3、MnCO3、Bi2O3等添加剂对于BaTiO3陶瓷系统介电性能以及居里峰移动的影响。通过改变制备工艺，在910℃下，成功的制备了满足要求的X8R陶瓷材料，主要性能参数如下：室温介电常数ε25℃>2250,介电损耗tanδ <1.5%,-55℃到150℃范围内最大电容量变化率不超过±13%，满足EIA X8R标准。另外，我们进行了直流偏压特性的研究，成功制备了满足EIAX8R-BX的陶瓷介质材料。3.我们研究了(BixNa1-x)TiO3(0.4≤x≤0.7)以及xBaTiO3-Bi0.5Na0.5TiO3(x=7,8,9,10,11)的制备工艺和介电性能。并且以此为基础，添加Nb2O5、SrTiO3等添加剂，尝试不同的制备工艺，最终在960℃和1100℃下获得了满足要求的X9R陶瓷介质材料，主要性能参数如下：(a)960℃烧结,室温介电常数ε25oC>1100,介电损耗tanδ <1.0%,-55℃到200℃范围内最大电容量变化率不超过±15%;(b)1100℃烧结,室温介电常数ε25oC>1200,介电损耗tanδ <1.5%,-55℃到200℃范围内最大电容量变化率不超过±15%。另外，我们又获得一种具有超宽温度范围(-55℃到230℃)稳定性的陶瓷介质材料，主要性能参数如下：室温介电常数ε25oC>1000,介电损耗tanδ <1.5%,-55℃到230℃范围内最大电容量变化率不超过±8%。