SOI器件和电路的辐照效应一直是应用领域的研究焦点，本论文在系统调研SOI器件和电路国内外发展动向的基础上，分别从理论模拟和实验两个方面开展了CMOS／SOI单粒子效应和总剂量效应两方面的研究工作。 在CMOS／SOI单粒子效应方面，首先对单粒子翻转机理进行了探讨研究，建立了入射单粒子在SOI器件中产生电子—空穴对和形成瞬态脉冲电流的一维SPICE模型。其次建立了SOI器件的二维模型，用MEDICI二维模拟软件对单粒子现象进行了计算。模拟结果与电荷漏斗模型相吻合。另外设计了一种采用隔离阱技术的SOI抗单粒子翻转的反相器单元电路，采用HSPICE软件模拟分析了改反相器的抗单粒子性能。结果表明，这种反相器结构具有优良的抗单粒子性能。 在CMOS／SOI总剂量效应方面，在标准SIMOX材料和改性的SIMOX材料上分别制备的具有环栅结构的部分耗尽CMOS／SOI晶体管，并进行了X射线的总剂量辐射实验，研究了其背栅和正栅在三种不同偏置下的X射线总剂量辐照特性，分析了不同偏置对辐照效应的影响。结果表明，在总剂量辐照下，对于背栅，PG均为最劣偏置，其次是OFF偏置，ON偏置下器件受辐照的影响最小；而对于正栅，ON偏置的正栅阈值电压漂移量最大，其次是PG偏置，OFF最小。并且改性的SIMOX材料制作的CMOS／SOI具有良好的抗总剂量辐射性能。 建立了NMOS／SOI器件的总剂量辐照模型，模拟研究了NMOS／SOI总剂量辐射效应的机理。利用该模型，可以对不同结构参数(如栅长、结深、衬底浓度和沟道掺杂浓度)的器件进行总剂量仿真模拟，包括器件内部的电场分布、电势分布、迁移率分布及载流子速度等的分布，可以更全面地研究辐射特性。同时本文对如何提高SOI器件的抗总剂量性能作了初步探讨。