太赫兹技术在电子对抗、宽带通信、医学成像、天文学和安全监测等诸多领域都有重要的作用。目前，太赫兹系统的发展主要受限于缺少高灵敏探测器和有效的辐射源，因此，太赫兹频率源的研究是重要课题之一。产生太赫兹辐射源的方法有很多，其中固态太赫兹辐射源以半导体技术为支撑，凭借室温工作环境、连续波、频谱纯度高、结构较简单、体积小、成本低及可靠性高等优势，在太赫兹领域发挥着重要作用。　　本课题针对太赫兹倍频器进行研究，在深入理解及掌握倍频器原理的基础上，主要针对190GHz三倍频器进行研究。电路以厚度为50um的石英作为衬底，采用多种太赫兹肖特基二极管作为核心部件，基于反向并联和同向并联结构等不同方法来实现。论文结合HFSS有限元法和ADS谐波平衡法进行联合仿真，分别优化输入输出探针过渡、输入CMRC低通滤波器、输入输出匹配网络、直流偏置电路及整体电路，以实现更高的输出功率和倍频效率。　　实验研究显示，基于 DBES105a二极管同向并联结构的190GHz三倍频器，180-210GHz范围内倍频效率大于1.3％，最大倍频效率为1.64%，最大输出功率为1mW；基于DBES105a二极管反向并联结构的190GHz三倍频器，159-177GHz范围内倍频效率大于0.6%，最大倍频效率为1.29%，最大输出功率为0.95mW；基于中电13所阻性管结构的190GHz三倍频器，165-210GHz范围内倍频效率大于0.6%，最大倍频效率为1%，最大输出功率为0.057mW；基于RAL容性管结构的190GHz三倍频器仿真结果显示，186-192GHz范围内倍频效率超过15%，最大倍频效率为25%，最大输出功率为20mW。　　本课题为某预研项目中的380GHz分谐波混频器提供本振驱动源，并为后续研究太赫兹更高频段的倍频器和单片集成电路奠定基础。