【摘 要】
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在今后高密度信息化的社会,人们对信息存储的大容量、高密度和快速处理将提出越来越高的要求.近年来被国内外研究机构广泛研究的利用光折变晶体作为存储的三维体全息存储技术
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在今后高密度信息化的社会,人们对信息存储的大容量、高密度和快速处理将提出越来越高的要求.近年来被国内外研究机构广泛研究的利用光折变晶体作为存储的三维体全息存储技术,以其突出的优点,极具希望成为下一代的主流存储技术.该课题即来源于国家863重大基础研究项目:"超高密度、超快速光学体全息存储晶体材料及器件技术",目的是根据实验现有条件,结合晶体生长相关理论知识,从软硬件双方入手,寻找并确定生长优质晶体的最佳方案,从而为光折变晶体材料的质量优化打下基础.该课题在分析了提拉法晶体生长对环境的要求及实验现有条件的基础上,论证了包括加热、控温、转动升降和冷却分系统的整个晶体生长硬件环境的组成,并采用上、下位机的分级控制方案对晶体生长过程进行温度控制.在Windows XP操作系统环境下,用Visual Basic语言编写了"提拉法晶体生长程序控温软件",可实现实时数据监测、晶体生长温度控制程序设置、数据库记录查询、报表打印等功能,用户界面友好,操作方便.通过50多次晶体生长实验过程与结果的分析总结,对生长环境、工艺参数与温度程序曲线进行了多次优化改进,总结出较好的温度控制程序方案,得到纯铌酸锂晶体(LiNbO<,3>)、掺铁铌酸锂晶体(Fe:LiNbO<,3>)、掺铈铌酸锂晶体(Ce:LiNbO<,3>)、掺锰铌酸锂晶体(Mn:LiNbO<,3>)、掺铈铁铌酸锂晶体(Ce:Fe:LiNbO<,3>)、掺锰铁铌酸锂晶体(Mn:Fe:LiNbO<,3>)、掺铟锰铁铌酸锂晶体(In:Mn:Fe:LiNbO<,3>)7种铌酸锂类晶体生长规律曲线,生长出了外形好、表面光滑、应力小、无宏观缺陷的铌酸锂类晶体.这对人工生长光折变晶体是个改进,即使操作人员没有拉晶的经验也可以通过优化的程序拉出优质的光折变晶体.
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