当原子内层电子电离产生高激发态的电子空穴时,空穴态的原子可通过电子衰变过程退激发。俄歇和原子间库仑衰变（ICD）都是由电子关联引起的电子衰变过程。在稀薄环境下,俄歇衰变的研究主要基于单粒子理论。而在稠密环境下,环境效应不可忽略,ICD过程是一种高效的电荷重分配过程。本文主要围绕ICD和俄歇衰变等电子衰变过程展开研究。具体研究内容如下。首先,本文基于相对论条件下的扭曲波近似理论计算了Rb+(3d-1)完整的俄歇衰变速率,包括单俄歇衰变和双俄歇衰变过程。本文通过knock-out和shake-off机制对电子关联引起的直接双俄歇衰变过程进行计算。3d-1空穴态的俄歇衰变过程中,一般认为主要的单俄歇通道是属于组态4s24p45s,4s4p55s,和4s04p65s的能级。本文的计算结果表明,Rb+(3d-1)最强的通道来自属于组态4s24p34d5s的能级,其衰变速率占总的单俄歇衰变速率的36.3%。属于组态4s24p34d5s的能级可以进一步的衰变到Rb3+,这使得级联双俄歇衰变速率较大。级联双俄歇衰变和直接双俄歇衰变在总的俄歇衰变中所占的分支比分别为50.60%和22.13%。因而,双俄歇在总的俄歇衰变中的分支比为72.73%,占据主导作用。接着,本文重点研究了空穴态稀有气体二聚物核能级的ICD过程,进而研究了其与定域俄歇衰变的竞争。本文运用Fano-ADC-Stieltjes方法分别计算了Xe+(4d-1)-R（R=Xe,Kr,Ar）以及Kr+(3d-1)Kr的ICD和俄歇衰变宽度（速率）。俄歇衰变是一个定域过程。因此,其宽度与空心激发态原子和近邻原子之间的距离无关。与之相反,ICD宽度随着空心激发态原子和近邻原子之间的距离的减小而增大,随初始空穴态能量的增加而减小,且随不同的邻近原子变化而变化。在衰变发生的Franck-Condon区域,Xe2,Xe Kr,Xe Ar和Kr2最大的ICD宽度与俄歇衰变宽度的比值最大为0.26%。然而,在较大的团簇中该比值可以达到几个百分点且在实验上可以观测到。ICD宽度与俄歇衰变宽度的比值较小是因为所研究二聚物原子间距过大（4–4.4（?））。结合以往的研究及本文计算结果可以推测,在单体间距仅为2-3（?）的氢键或者微溶剂团簇中,核能级ICD是原子吸收硬X射线后重要的电荷再分配过程。考虑到电子碰撞电离在直接双俄歇衰变和ICD过程中的重要作用和影响,本文基于精细能级的扭曲波方法以S e3+为例详细研究了重原子的电子碰撞电离过程。首先,分别计算了直接电离和激发自电离截面并讨论了不同过程对总的单电离截面的贡献。同时,本文对S e3+不同的组态的电离截面表现出的不同的特质进行了讨论。组态（[Ni]）4s24p和4s24d的两个能级的电离截面基本相同,而组态4s4p2的不同能级电离截面差异较大。理论计算结果可以对实验测得的S e3+单电离截面（Alna’washi et al.,2014）进行分析和组态诊断。实验中除了存在基态4s24 p还存在激发态4s24d。