【摘 要】
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本文在有效质量近似下,从理论上研究势垒对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能的作用及磁场的影响,共分两个部分：第一部分,简要综述量子阱相关低维半导体材料中杂质态的研究
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本文在有效质量近似下,从理论上研究势垒对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能的作用及磁场的影响,共分两个部分：第一部分,简要综述量子阱相关低维半导体材料中杂质态的研究历史及现状,并阐明本文的研究意义.第二部分,利用变分法讨论势垒对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能的作用以及垂直于界面方向磁场的影响,分别给出结合能随阱宽、垒厚、杂质位置、磁场强度变化关系,进而讨论磁场效应的压力影响.并与无限深势阱量子阱和无限厚势垒量子阱两种情形的结果进行了比较.结果表明,在小阱宽下,有限高势垒时的结合能明显小于无限高势垒情形,但有限厚势垒时的结合能大于无限厚势垒情形.随着阱宽增加,三种情形下结合能的差异逐渐减小.磁场的约束显著地影响着杂质态结合能,其值随着外磁场的增大而单调增加.磁场作用下的结合能随压力单调增加.在以后的工作中,应考虑本文对势垒的修正.
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