接触金属与纳米材料之间界面问题的研究对微纳电子器件的研究和发展起到很重要的作用。在很多情况下,金属与二维材料之间的接触可以极大的影响场效应晶体管的电学特性。本文经研究发现,快速退火效应通过改变碲化钼的位错来改变碲化钼场效应晶体管的空穴和电子的掺杂,继而使得肖特基势垒发生变化,最终改变了电学极性。同时,本论文通过利用快速退火效应在碲化钼场效应晶体管中的效应,完成了碲化钼同质PN结及碲化钼同质反相器的设计及制作。论文第二章介绍了场效应晶体管的工作原理。同时介绍了场效应晶体管的技术指标和相关微纳加工工艺,包括光刻、物理气象沉积、电子束光刻等。论文第三章进行了退火效应在碲化钼场效应晶体管中的研究。通过利用不同的金属做电极来进行横向对比,数据显示,尽管不同器件的接触金属的功函数不同,器件的电学极性几乎相同。未经过退火处理的碲化钼场效应晶体管的电学极性都呈现出N型,而经过退火处理之后的器件的电学特性全部变成以P型为主导。通过控制不同的退火温度及退火时间,分析了退火过程影响碲化钼场效应晶体管的关键工艺参数。通过低温环境下的电学性能测试,本文发现退火效应改变了接触界面的肖特基势垒,升高了对电子的肖特基势垒,降低了对空穴的肖特基势垒。根据对高倍率透射电子显微镜的观察,本文得到了碲化钼场效应晶体管的电极与半导体材料的接触界面的碲化钼晶格结构形成位错来对界面进行空穴的掺杂。本文的第四章对碲化钼场效应晶体管的退火效应在PN结及互补型反相器方面的应用进行了介绍。第四章第一部分,首先介绍如何利用退火效应制作碲化钼同质PN结,然后对器件进行了光电测试,观测了PN结在光电池方面的应用。第四章第二部分,利用退火效应制作了碲化钼同质反相器,退火后的器件作为互补型反相器的P型晶体管,未经过退火处理的器件作为N型晶体管。最后,通过理论分析,提出了对器件性能进行优化的方案。第五章对本文的工作进行了总结并对未来的规划进行了阐述。