近年来,卫星通信与相控阵雷达不断发展,研究高性能的射频通信组件成为目前的主流。RF移相器的重点指标为移相量、移相误差、插入损耗。三者相互影响,在保证移相误差满足指标的要求下,减小RF移相器的插入损耗,是需要考虑的重要问题。而功率放大器性能是否优良取决于输出功率、效率和线性度,故PA面临的设计挑战为在线性度得到要求的情况下提高功率放大器的输出功率与效率。本文重点研究了相控阵雷达系统中的射频/微波毫米波硅基集成电路设计。首先第一章研究了微波毫米波移相与功放集成电路研究的背景与意义;分析了相控阵雷达对高性能的移相器与功率放大器的迫切需求,介绍了移相与放大的重要作用;总结了近几年对移相器与功率放大器的研究现状及阐述目前实现移相器与放大器高性能的方式与方法,最后介绍了本文的结构安排。通过对国内外文献的调研与总结,在第二章分别研究学习了射频数字移相器和功率放大器的基本原理;通过对移相器、功放拓扑结构的调研对比,选择适合的拓扑结构,并对其进行优化,研究如何提高移相器的精度与放大器的输出功率。通过上述研究,在第三章设计两个分别工作于16GHz和28GHz的数字移相器,各自采用新型和适合两个频段的拓扑结构,使其在高频获得更精度的移相精度与更低的插入损耗。14GHz数字移相器应用IBM 0.35um BiCMOS工艺,使其在14GHz到18GHz的频段范围内,移相误差RMS小于5°,插入损耗小于14dB,S11与S22均在-8dB以下,芯片面积在包含pad的情况下为1.4×0.93 mm~2。28GHz数字移相器应用GF55nm CMOS工艺,使其在26GHz到30GHZ的频段范围内,插入损耗小于12dB,S11与S22均在-8dB以下,芯片面积在包含pad的情况下为1.78×0.65 mm~2。通过对77GHz防撞雷达的调研和在此频段的功率放大器的要求,在第四章中应用IBM0.13um BiCMOS工艺设计能工作于此频率的功率放大器,并且使其拥有较高的输出功率与一定的效率。其输出P1dB大于12dBm,效率在20%左右。