高介电常数的复合材料在微电子工业中有着重要的应用,特别是在嵌入式电容器领域,聚合物基复合材料具有柔韧性好、加工方便、重量轻、成本低等优点,能够满足微电子微型化的要求,是近年来高介电材料的主流趋势。虽然填充导电、陶瓷填料的聚合物复合材料可以获得很高的介电常数,但不可避免的是材料本身会伴随着介电损耗的大幅增加,这对其实际应用是一个致命的缺点。本文利用聚偏氟乙烯为聚合物基体,设计并制备具有核壳结构的填料Si C@PDA及MXene@CTAB,利用溶液共混法制备了PVDF/Si C、PVDF/Si C@PDA和PVDF/MXene@CTAB复合材料,分别对其各项性能进行研究。与PVDF/Si C复合材料相比,PVDF/Si C@PDA复合材料在保持较高介电常数的同时,显著地抑制了介电损耗和交流电导率。40wt%的PVDF/Si C在1000Hz时的介电损耗和电导率分别为71.53和1.9×10^-3S/m,而PVDF/Si C@PDA-b（Si C/DAH=2）分别为0.048和1.0×10^-5S/m。此外PVDF/Si C@PDA-a（Si C/DAH=5）介电常数、介电损耗和电导率分别为61.2、0.056和1.3×10^-5S/m。通过设计PVDF/MXene@CTAB纳米复合材料,可以获得高介电常数、低介电损耗的介电材料。PVDF-10在频率100Hz和1000Hz下,其介电常数的值分别为323和164,是纯PVDF的32.3倍和16.9倍。在整个频率范围内,PVDF-10的tanδ均在0.9以内,且在1000Hz时达到0.51,这比纯的PVDF（0.02）高,但仍可用于介电应用。本论文的主要创新点在于通过简单的方法制备核壳填料,研究了有机-无机界面对复合材料介电行为的影响,与传统的无机材料相比,壳层具有许多优点,它能够改善填料在聚合物基体中的分散性、介电性能以及填料与聚合物基体的界面相容性,要使介电常数和介电损耗的平衡达到最优,必须对壳层的厚度进行合理调整,为今后研制高性能的储能材料等提供了新的思路。