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BST由于其良好的铁电、介电、热释电性及绿色环保性,被广泛的应用于动态随机存储器DRAM、红外传感器UFPA、非挥发性存储器FeRAM等铁电集成领域。对于铁电集成器件的应用,不仅要求一定的膜厚,而且需要特定的图形,因此,适应特定铁电器件膜厚和图形需求的图形化薄膜的制备技术,对于铁电器件的发展具有重要的理论意义和实用价值。本课题针对DRAM、UFPA和FeRAM器件应用的典型膜厚需求,在化学修饰的溶胶-凝胶工艺的基础上,引入PVP改性剂,采用直接感光法单次制备得到了介电性能良好的BST图形化