【摘 要】
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显示技术的发展可分为三代,第一代为阴极射线管显示技术CRT,第二代为液晶显示技术LCD,第三代为有机发光二级体OLED,如今,从OLED屏幕演化而来的有源发光二极管AMOLED被广泛使用,而AMOLED屏需要双轨电源同时进行供电,提高电源性能具有重要意义。本文针对微AMOLED屏驱动要求,确定了影响显示性能的关键参数和改进电源芯片性能的方法。微AMOLED屏主要应用于便携式设备中,正电压VOP直接
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显示技术的发展可分为三代,第一代为阴极射线管显示技术CRT,第二代为液晶显示技术LCD,第三代为有机发光二级体OLED,如今,从OLED屏幕演化而来的有源发光二极管AMOLED被广泛使用,而AMOLED屏需要双轨电源同时进行供电,提高电源性能具有重要意义。本文针对微AMOLED屏驱动要求,确定了影响显示性能的关键参数和改进电源芯片性能的方法。微AMOLED屏主要应用于便携式设备中,正电压VOP直接影响了OLED管的恒流特性,VOP的纹波以及线性瞬态特性尤为关键,通过BOOST与LDO级联来保证VOP的纹波,通过采样输入电压信号,调整比较器阈值,提前调整输出电压来优化电路的线性瞬态特性,LDO采用跨阻放大器构成缓冲级使得环路稳定。针对负输出电压VON,提出了一种高性能负电压电荷泵,电荷泵仅由MOSFET构成以提高效率,由于MOS管作为开关管产生的导通电阻与栅极驱动信号有关,栅极驱动信号最低电平也应当为负电平,因此提出了一种可以转换负电压的电平转换器作为MOS管的栅极驱动信号,有效实现了MOS管的负电压传输,采用负反馈控制提高了输出电压精度并降低了VON的纹波,且输出电压可调。整个双轨电源只包含一个电感,降低了成本以及芯片面积,在轻载条件下使用BURST模式,通过关断若干个周期来提高效率。提出的单电感双极输出（SIBO）DC-DC转换器芯片采用韩国东部的0.18μm BCD工艺,正输出电压VOP为4.6V,负输出电压VON为-2.4V,输入电压为2.5V至4.8V,负载范围为0m A～100m A,SIBO的最大功率效率为89%,VOP和VON的纹波小于7m V。测得的VOP和VON的线性瞬态响应均为5m V,测得的VOP和VON的负载瞬态响应分别为5m V和20m V,工作频率为1Mhz,,负输出电压可以在-0.6V到-2.4V范围内调节并且调整步长为0.1V。芯片测试结果表明,本文设计的SIBO转换器满足设计AMOLED屏驱动电压需求,具备优良的市场前景。
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