【摘 要】
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温度是薄膜镀制过程中一项比较重要的指标,是影响成膜质量的重要因素,准确的测量基片的温度并能对其进行控制具有重要的意义.该文针对薄膜制备中"温度"这一重要参数,参照传统
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温度是薄膜镀制过程中一项比较重要的指标,是影响成膜质量的重要因素,准确的测量基片的温度并能对其进行控制具有重要的意义.该文针对薄膜制备中"温度"这一重要参数,参照传统的测试方法,提出了红外辐射测温法,设计制作了光学系统和测温电路,编制了测试软件,在测试的基础上,设计制作了温度控制电路,编制了控制软件,并将二者结合制作出了红外辐射温控仪.硬件部分以AT89C52单片机为核心,主要包括光学系统、运算放大电路、滤波电路、A/D转换电路、温度控制电路等,温度控制电路又包括按键判断电路、温度显示电路、执行控制电路等.测控软件部分在单片机中完成,包括A/D转换控制子程序、数字滤波子程序、按键判断子程序、温度显示子程序、延时子程序、温度控制子程序等,软件摒弃了繁琐的汇编语言,采用C51语言编写,大大提高了编程效率,另外软件采用模块化的设计思想,提高了软件的阅读性和可移植性.该文提出的温度测试方法为非接触测温,它具有不破坏薄膜镀制中基片的温度场、直接测量被镀工件表面温度以及反应快速等特点,能快速地测量基片的温度,并能根据实验的要求,将温度控制在由键盘输入的设定值附近.该测控仪的测试温度范围为:0~300℃,最大基本误差为±5℃,稳定度为±2℃,基本达到测控的要求.
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