半导体量子点自旋态是实现固态量子信息处理的理想候选体系之一。Ⅱ-Ⅵ族量子点通常具有弱的电子-核自旋超精细耦合作用,核自旋所带来的自旋弛豫因素较弱,有望于获得较长的自旋寿命。本文针对CdS、CdSSe等Ⅱ-Ⅵ族胶体量子点,在电子自旋飞秒光场超快激发、自旋信号增强控制、将自旋调控方法应用于空穴俘获动力学探测等问题上进行了一系列研究,具体工作包括：(1)在室温下利用时间分辨法拉第旋转光谱技术研究了CdS胶体量子点在飞秒激光场作用下的自旋超快激发过程。通过载流子动力学和自旋退相位动力学的比较以及g因子分析,表明自旋极化信号的载体是量子点内驻留电子。电子自旋通过一个电子到三子态的偏振选择激发过程,在飞秒脉冲持续时间内即完成了电子自旋极化态的超快产生。(2)量子点内原始驻留电子通常较少,导致自旋信号微弱。在传统的泵浦-探测实验装置基础上,在泵浦光前引入一线偏振预泵浦激光脉冲,由于空穴表面俘获作用将有效增加量子点内核净电子数,从而增强自旋信号。通过改变预泵浦-泵浦光脉冲之间的延迟时间,我们进一步将预泵浦-泵浦-探测超快光谱发展成为一个空穴俘获动力学探测的新型技术。