宽禁带Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料具有稳定的化学性质，优异的光电性质，可在酸碱、高温、辐射环境下使用，在高亮度发光二极管、短波长激光器、紫外探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。研究InGaN/GaN材料外延生长特性对于获得高质量的氮化物器件具有重要的作用。本文即是在这样的背景下对InGaN/GaN的外延生长进行研究，研究结果如下:　　本文首先介绍了GaN外延生长的原位监控干涉曲线，研究了成核温度对GaN外延生长的影响，结果显示:在相同生长条件下，在一定范围内，随着成核温度的升高，GaN薄膜的晶体质量下降，温度越高，薄膜表面粗糙度变化越快;然后研究了温度对InGaN外延生长的影响，其他生长条件不变的情况下，InGaN薄膜的生长温度越高，铟组分就越低、晶体质量就越好，发光波长逐渐减小，反之则铟组分越高、晶体质量越差;高压不利于In的掺杂，外延中需要降低生长压力来保证In的掺入;在一定范围内量子阱的发光波长随着TEGa的流量的增加呈红移趋势。