本文首先研究了宽带蓝色材料二(2-甲基-8羟基喹啉)(4-苯基-苯酚)铝(BAlq)和9，10-二萘葸(ADN)合成工艺和材料的光电特性。在此基础上以ADN作为掺杂主体的发光层，分别制作了绿色，红色的双掺杂OLED器件，并研究其光电特性。 首先本文通过改善原材料配比和反应环境优化了BAlq的合成工艺；表征了所合成样品的结构特征和纯度；并对该样品的热学性能及光电特性进行了研究。红外光谱(FTIR)分析表明本文合成材料符合BAlq的分子结构特征谱；高效液相色谱(HPLC)结果显示合成材料纯度可达到93％；光致发光(photoluminescence)光谱显示了合成材料的PL发射峰位于477 nm处。以BAlq作为发光层，制作了双层OLED器件。器件结构为：ITO/NPB(50 nm)/BAlq(80 nm)/LiF(2 nm)/Al(100 nm)。所得器件的电致发光(EL)发射峰位于491 nm处，色坐标为X=0.19，Y=0.26，当电压为22 V时，电流效率为2.1 cd/A。 合成蓝光主体材料(ADN)，研究材料纯化对合成材料光电性能的影响。为进一步分析材料经升华提纯对OLED器件性能的影响，以提纯前后ADN为发光层，以NPB为空穴传输层，分别制作双层器件1(提纯前)和器件2(提纯后)，器件结构为ITO(100 nm)/NPB(40 nm)/ADN(30 nm)/Alq<,3>(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)，结果表明提纯后材料PL光谱蓝移了2 nm，半高宽54.2 nm，与提纯前一致；杂质影响载流子注入效率和迁移率，对器件光电性能有显著影响，纯化前后器件最大电流效率由1.5 cd/A上升至2.5 cd/A；器件2色纯度有较大提高，CIE色坐标由器件1(0.15，0.10)移至(0.15，0.06)。实验结果表明材料提纯是优化器件性能有效手段之一。 研究以宽带材料ADN为发光层主体OLED器件体系发光机制，分别制作了绿色、红色双掺杂OLED器件。其中绿色荧光OLED器件的最佳结构为ITO(100 nm)/NPB(40 nm)/ADN+香豆素C545T(0.6 wt％)+DMQA(0.6 wt％)(45 nm)/Alq<,3>(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)。最大发光亮度值为20000 cd/m<2>，电流效率为10.5cd/A，色坐标(0.27，0.62)。红色OLED器件的结构为ITO(100 nm)/NPB(60nm)/ADN+C545T(0.6 wt％)+DCJTB(1.4 wt％)(35 nm)/Alq<,3>(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)。结果表明，该双客体掺杂型器件在引入绿色荧光掺杂剂后，其电致发光(EL)光谱最大峰值红移10 nm；其电流效率为4.05 cd/A；根据Forster能量转移机制，绿色掺杂剂C545T能更有效将主体ADN的能量转移到发光客体DCJTB，从而使激子更有效在发光中心DCJTB发光而优化器件光电性能。由于发光层主体材料本身为宽带材料ADN，故可以在同一主体上实现、绿、蓝OLED器件的制作，有望进一步简化彩色OLED器件的制作。