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【摘 要】
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SiC作为新一代半导体材料,具有广阔的应用前景;而在晶体生长过程中产生的缺陷对晶体的质量产生了重要的影响。本文根据SiC晶体中的微管、热分解空腔和六方空洞的产生的机理和
【机 构】
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西安理工大学
【出 处】
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西安理工大学
【发表日期】
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2013年期
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