相较于非隔离型的驱动芯片,采用隔离结构的GaN驱动芯片在高频应用中拥有更强的抗干扰能力。隔离型驱动芯片内部需要增加发射电路和接收电路实现信号在隔离介质上的传输,其中发射电路增加了芯片的功耗。功耗的增加会带来散热及电路性能下降等问题。因此,研究隔离型驱动芯片发射部分低功耗调制技术具有重要意义。本文首先分析了光耦隔离、磁隔离和电容隔离三种隔离方式以及相应的调制技术,阐述了电容隔离在GaN隔离驱动芯片高频高压应用方面的优势。然后对电容隔离型驱动芯片调制电路的功耗来源进行研究,发现可通过控制振荡器的工作状态以及改变调制方式来降低功耗,由此提出了一种低功耗调制方案,可根据输入信号的频率自适应地选择合适的调制方案,实现低功耗调制的目的。当输入信号的频率高于判定频率,采用开关键控的调制方式,当输入信号的频率低于判定频率,采用边沿调制的方式,两种调制方式在同一通道上实现,节省了芯片面积且控制振荡器仅在调制过程中开启,避免了因振荡器长时间工作导致功耗增加的问题。本论文设计的隔离型驱动芯片发射部分低功耗调制电路采用CSMC 0.18μm BCD工艺进行电路设计、前仿真和后仿真。后仿真结果表明,在不同工艺角下电路实现了根据输入信号频率自适应地选择不同调制方式的功能,且在最坏情况（即SS工艺角）下,输入信号的频率为500k Hz时,调制电路的工作电流为137.9μA;输入信号的频率为5MHz时,调制电路的工作电流为214.6μA,电路的传输延时为3.5ns,达到设计指标要求。