SiC功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFETs）凭借低导通电阻、高速开关、良好的栅极绝缘特性、极低的功率损耗以及易于实现小型化等优点,在电力电子、航空电子、高温等应用方面具有显著优势,主要用作功率开关和辅助电源。但是SiC功率MOSFETs中普遍存在的可靠性问题严重影响了器件的功能和性能,栅氧化层的质量问题和SiC-SiO₂界面大量的界面态是引起这些问题的根本原因。为了推动SiC功率MOSFETs的商业化应用,关注器件的可靠性和性能参数的再现性设计变得十分重要,找到一种高效的可靠性表征工具则是需要迈出的第一步。基于电子器件低频1/f噪声的噪声表征方法具有灵敏、无损等优点,是研究器件质量和可靠性的强大工具。SiC MOSFETs的低频1/f噪声特性与氧化层和SiC-SiO₂界面附近缺陷杂质的载流子俘获特性有密切的关联,因此本文将通过4H-SiC MOSFETs的1/f噪声来研究SiC-SiO₂界面附近陷阱的相关问题。本文首先对SiC MOSFETs中主要存在的缺陷陷阱问题进行了总结,包括微观结构和对器件性能的影响。介绍了可用于SiC-SiO₂界面表征的电学方法和噪声方法。接着,推导了SiC MOSFETs的1/f噪声数涨落模型,该模型给出了1/f噪声功率谱密度（S）与陷阱密度（Dt（Et））的函数关系。最后,在本文的实验研究部分,对N沟道增强型4H-SiC功率MOSFETs进行了电学I-V特性测量和低频噪声测量。连续多次的转移特性测量引起了器件阈值电压的升高,主要是由于测量过程中SiC-SiO₂界面附近积累了负的陷阱电荷。器件在线性模式下工作时,漏压噪声功率谱密度SVd正比于Vdβ/（Vg-VT）γ,SVd漏压依赖性与Si MOSFETs的典型结果差异较小,但栅压依赖性明显与Si MOSFETs的不同,这也说明了SiC-SiO₂界面态密度比Si-Si O₂的大,以及4H-SiC MOSFETs的低频噪声主要与界面态有关。此外,不同型号的4H-SiC MOSFETs的SVd栅压依赖性也出现了明显差异。计算了标准化1/f噪声值K后发现,导通电阻低、跨导高的型号的K随栅压升高而升高。给定栅压下,K与陷阱密度有关,K的升高主要是因为栅压升高时界面态密度增加了,这与普遍认可的观点一致。而导通电阻高、跨导低的型号的K在强反型区随栅压升高而减小。对此的理解为,该型号器件的界面态数量总体高于另一种型号,沟道强反型且栅压升高时,一方面SiC-SiO₂界面态的辅助遂穿发生频繁,使负电界面态数量减少,载流子数涨落减弱,K减小;另一方面,K的减小也可能与迁移率涨落的减弱有关。