ELTRAN、智能剥离SOI技术和SOI压力传感器的研究

来源 :复旦大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wojiushixinyonghu

【摘要】

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该文围绕SOI技术在下面三个方面开展了研究:1.研究了ELTRAN(Epitaxial Layer Transfer)SOI材料制备技术中的关键工艺--多孔硅上的低温硅外延.2.研究了智能剥离(Smart-Cut)SOI

【作者】

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王瑾

【机构】

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复旦大学

【出处】

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复旦大学

【发表日期】

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2000年期

【关键词】

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SOI UHV/CVD 压力传感器

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该文围绕SOI技术在下面三个方面开展了研究:1.研究了ELTRAN(Epitaxial Layer Transfer)SOI材料制备技术中的关键工艺--多孔硅上的低温硅外延.2.研究了智能剥离(Smart-Cut)SOI材料的制箅技术.3.采用智能剥离SOI技术制备的硅材料研制了可工作在高温的SOI压力传感器.

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