【摘 要】
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该文首先研究了Si基BiTiO(BTO)铁电薄膜的Sol-Gel制备工艺,着重通过实验探索BTO/p-Si异质结制备的工艺参数选取和工艺流程控制;并通过XRD、AFM等微观分析手段和电性能测试确
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该文首先研究了Si基Bi<,4>Ti<,3>O<,12>(BTO)铁电薄膜的Sol-Gel制备工艺,着重通过实验探索BTO/p-Si异质结制备的工艺参数选取和工艺流程控制;并通过XRD、AFM等微观分析手段和电性能测试确定了实验室条件下,Si基BTO铁电薄膜制备的最佳工艺方案.随后,在BTO/P-Si异质结构上加覆In点电极,获得了In/BTO/p-Si异质结构,并分别对其P-V电滞特性、C-V电容电压特性和J-V电流电压特性、读写特性、疲劳特性、保持特性与漏电流机制进行了实验研究.最后,本文给出MFS结构物理模型的数值分析算法,通过计算机数值计算对MFS结构的铁电性能进行了模拟,并对铁电场效应晶体管(FFET)进行了电特性仿真.该文还在研究中以In/BTO/p-Si异质结构为例,提出了器件参数优化设计的一些初步方案.
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