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本实验以野生型大肠杆菌(E.coli) K12 W3110为研究对象，采用高压静电场(HVEF)和高压变频电场（HVFEF）进行处理，并分别设两组对照:自然对照组(CK1)和干燥对照组(CK2)。通过考察菌体的存活率、突变率以及形态损伤，研究大肠杆菌K12 W3110损伤的初步效应;选取具有显著突变率的处理条件(HVEF:4kV/cm*2min; HVFEF:4kHz*4kV/cm*6min)筛选突变子，绘制大肠杆菌lacI基因的突变谱，研究高压电场诱发lacI基因突变的机制。 实验结果表明: (1) HVEF处理:通过电镜观察，发现HVEF作用下E.coli细胞膜破损并伴随细胞内容物的溢出，说明HVEF可有效破坏细胞的膜结构;通过对电场处理样品中核酸和蛋白质含量的测定，发现在同一场强不同处理时间作用下，核酸和蛋白质含量的变化均呈振荡型，说明HVEF可调控菌体细胞膜的通透性，且说明在HVEF的作用下大肠杆菌自身可能具有损伤修复功能。在4kV/cm*2min的处理条件下突变率达最高，为（13.73±1.99）*10-6。 (2) HVFEF处理:在4kHz*4kV/cm*6min的处理条件下突变率最高，为（17.96±1.43）*10-6，分别是自发突变率（1.20*10-6）的14.97倍和干燥对照组（2.51*10-6）的7.16倍，说明HVFEF是一种损伤低，诱变效果显著的诱变剂。 分别绘制出lacI基因的突变谱，并与其它诱变因子诱变该基因的突变谱进行比较，研究发现，HVEF和HVFEF可能是通过诱导大肠杆菌SOS反应而产生突变;且HVEF和HVFEF的间接作用也可能是导致细胞基因突变的原因之一。