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近年来,随着微机电系统(MEMS)技术的日趋成熟,可集成芯片级的储能元件需求量日益增加。碳基微超级电容器作为最常用的双电层原理的MEMS超级电容器,具有可集成、体积小、充放电效率高、循环性能极强等优点,成为芯片级片上元件理想的供电选择。然而,当前微型超级电容器能量密度的问题限制了整体的发展,提升超电容的能量密度,一般通过提升所选材质自身的电容特性及设计具有三维电极结构两种方法来制备适合超电容的电极材料。MEMS领域经常用于SU-8光刻胶来作为片上设备的基础结构,以其特点适用于制备具有结构垂直及高深宽