磁控溅射金属掺杂的ZnO:Li薄膜的制备及其特性研究

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ZnO薄膜有熔点高、禁带宽、激子束缚能大及透明度高等优异特性.Li掺杂的ZnO (ZnO:Li)薄膜,电阻率增大(通常高于107Ω.cm),由固有缺陷引起的n型传导转变为p型传导,且可能同时具有铁电性和铁磁性.金属掺杂ZnO:Li薄膜,不仅可以改变ZnO薄膜传导类型,还可以进一步增强薄膜的电学、光学和磁学特性.利用磁控溅射法,在背景真空低于5×104Pa,靶基距保持在7cm,不同氩气氧气比率,不同工作压强,不同溅射功率下,在Si基底上制备了不同Li含量的ZnO:Li薄膜.X射线衍射(XRD)
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