本文主要内容为半导体材料碲化锌（ZnTe）晶体中太赫兹（THz）辐射研究。借助泵浦-探测技术研究了ZnTe晶体中光学整流产生的THz辐射，利用ZnTe晶体线性电光效应（Pockels效应）探测THz辐射场分布，并对反应离子刻蚀（RIE）ZnTe晶体的反射光谱进行了研究。 首先总结了THz辐射产生和探测的不同物理机制和辐射特性，以及THz辐射在诸多方面的应用。 其次，利用泵浦-探测技术研究了俄罗斯RMT公司生产的<110>立方闪锌矿结构ZnTe晶体通过光学整流产生的THz辐射，观察到了较窄（约为0.2ps）的THz场分布及相应较宽（响应超过4THz，半峰宽约为2.4THz）的THz频谱，并运用琼斯矩阵对实验结果进行了理论拟合。 再者，同时研究了RIE刻蚀ZnTe晶体中THz辐射场分布，比较了刻蚀前后以及不同刻蚀条件下p-ZnTe晶体的远红外反射光谱与泵浦-探测反射谱，获得RIE刻蚀后ZnTe晶体损伤层平均厚度和不同RIE刻蚀条件下THz辐射场分布，得到了不同RIE刻蚀条件对ZnTe晶体线性电光系数、THz波形半峰宽与频谱的影响。 最后，提出了使用ZnTe晶体面元构建了一个THz辐射波二维电光面阵成像系统探测方法的构想，主要创新之处就在于采用二维面阵取代现有的单块THz探测器。