纳米氧化铟锡[In2O3(SnO2)]是一种N型半导体材料,以其良好的电导、透光性能而成为电子行业显示器、显像管防静电、防辐射、防眩目的热点材料。传统的制备ITO膜方法是真空溅射法,但该方法所需设备复杂,工序多,成本高,而ITO粉体为基的涂膜技术为下一代的印刷电路、导电薄膜制备提供了新的思路。因此,如何制备ITO纳米悬浮液及保持其稳定性成为应用过程中研究重点。本文采用物理和化学改性的方法,分别用阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂、高分子表面活性剂和硅烷偶联剂对铟锡氧化物进行表面修饰以改进其悬浮液的稳定性；采用红外光谱(IR)、X射线电子能谱(XPS)、透射电镜(TEM)和分散性实验等手段对表面改性后的纳米铟锡氧化物进行分析表征,并且试验了不同用量的表面活性剂对ITO纳米悬浮液稳定性的影响,3%-4%的用量可以达到最佳的分散效果；对试验条件进行优化,在最佳条件下成功地制备了能稳定存在的ITO纳米悬浮液。对表面修饰后的ITO纳米悬浮液涂膜进行光学和电学性质的测试,改性后的ITO薄膜透光率变化不大,但导电性质相差悬殊；经试验得出,聚乙烯吡咯烷酮既可以使纳米铟锡氧化物悬浮液稳定性良好,又不影响其电学性质,是最佳的表面活性剂。