晶格电子系统的光学性质与材料的导电特性有着密切关系,而光学吸收是研究电子系统光谱性质的一件基本工具[1,2],在研究过程中光电导σ(ω)是反映晶格电子性质的一项有力证据。本文主要研究半满填充情形下二维六角晶格模型的跃迁积分在锯齿型和扶手椅型结构的交错磁场(SMF)的调制下的D和光电导。尽管在空间调制磁场下的格点电子的能谱和传输性质[3–5,7,8,18]以及三角和四方晶格体系对应的光学性质已经被详细的研究了[19–21],但是这种体系对应的具有丰富特性的二维六角晶格光学性质却有很多未被探究。因此我们研究六角晶格在不同条件的外加错列磁场下引起格点电子特殊的不同性,及导致磁场诱发的光学吸收。本文所考察的体系在类似完整的网状Aharonov-Bohm(AB)环下,因此我们将考察体系的AB效应[22]。由于外磁场的影响,沿着环的两支(AB环)不同路径从左向右传播的波函数的相位将发生改变,这将导致量子相干效应的发生,表现为物理量变成磁通量的周期性函数周期为φ0 = hc/e。我们采用紧束缚模型研究二维六角晶格的在不同模式磁场调制下的平均动能、Drude weightD和光电导随、SMF的变化关系和随体系不同尺寸的变化关系,最后计算有限频率下的光电导σreg(ω) ,得到二维晶格中δ(the SMF)取不同值时σreg(ω)随ω的变化关系。我们将采用解析计算与数值计算相结合的方法来计算二维六角晶格的D和光电导,同时计算中我们还将使用f-求和规则(f-sum rule)和Hellmann-Feynman关系。