【摘 要】
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该文通过显微压痕法,在室温下用不同的载荷在单晶硅的(001)、(110)和(111)晶面 上制备裂纹,利用TEM观察研究裂纹形貌及其尖端的微观信息,阐明单晶硅室温下的断裂行 为及损伤
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该文通过显微压痕法,在室温下用不同的载荷在单晶硅的(001)、(110)和(111)晶面 上制备裂纹,利用TEM观察研究裂纹形貌及其尖端的微观信息,阐明单晶硅室温下的断裂行 为及损伤机制.研究结果表明:裂纹有平直、曲折、锯齿形、分叉及间断等不同形态;裂纹呈锯齿形曲折扩展中,具有分形特征,其分维值为1.141.在裂纹前端或附近存在位错及形 态各异的层错;单晶硅裂尖位错发射临界应力强度因子K<,g>小于脆断的临界应力强度因子K<,c>,裂尖位错易形核,当应力强度因子K<,g>时,位错易被发射出来,但易形 成塞积,位错的塞积致使裂纹扩展呈现间断、曲折现象,即塑性变形在一定程度上可改变裂纹的扩展形态,使单晶硅在室温下,表现了一定的韧性行为.
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