论文部分内容阅读
本文对陶瓷先驱体含硼聚硅烷的合成及陶瓷化进行了探讨。本研究合成了陶瓷先驱体含硼聚硅烷，利用聚合物浸渗裂解法制备了C/C-B-SiC复合材料，改进了C/C复合材料的抗氧化性能。较系统地研究了合成含硼聚硅烷的影响因素，探索了Wurtz法和电化学合成含硼聚硅烷的反应机理。用IR、UV、GPC、<13>C-NMR等表征手段分析了产物性能。结果表明：与Wurtz法相比，用电化学合成的含硼聚硅烷的分子量较低，分子量分布较窄。Wurtz法合成含硼聚硅烷时，随着三氟化硼乙醚含量的增加，产物的分子量逐渐降低，分散系数逐渐变小。Wurtz法合成含硼聚硅烷所用三氟化硼乙醚/甲基氢二氯硅烷的最佳摩尔比为1/2。随单体浓度逐渐增大，M<,w>逐渐变小，产率逐渐下降。加入封端剂一氯丁烷能够明显提高含硼聚硅烷的产率和分子量。