本文详述了用臭氧水和深紫外曝光取代硫酸这一全新的光掩膜清洗技术导入到实际生产的过程。并且基于批量生产进行了工艺的优化、设备局部设计的改造和制订日常维护程序。实验证明,通过本文所提出的解决方案,能够有效地改善光掩膜结晶状况,Haze周期从传统清洗技术的3个月提高到1年以上。并且清洗破坏性得到有效控制,对相位移光掩膜的损耗每次清洗低于1度。良率也达到批量生产的要求,清洗良率可达到97.2%,光掩膜良率99.9%。全部生产指标达到生产要求。第一章主要介绍了半导体技术和光掩膜技术的发展趋势以及传统光掩膜制造和清洗技术；第二章分析了光掩膜结晶生长以及清洗良率降低的原因；第三章、第四章主要介绍了光掩膜新清洗技术如何解决结晶生长问题,并且对新清洗技术的参数及流程进行优化以改善结晶生长问题；第五章介绍了通过改进设备操作与维护方法以提高掩模板清洗良率；第六章总结了这个新清洗技术的应用效果,并且对其未来的应用作出展望。