新型柔性器件由于工艺差异和特殊应用场景,其可靠性研究对于加速柔性显示产品量产有重要意义;而剥离技术作为关键工艺,则对柔性TFT器件可靠性有着重要影响。使用类似工艺的柔性显示研发人员,需特别关注器件剥离后的可靠性。本文着眼于柔性工艺薄膜晶体管(TFT)器件,对其在直流栅应力下的可靠性进行较为详尽的对比实验,探讨关键工艺激光剥离,对器件基本特性和可靠性的影响。首先,本文以柔性低温多晶硅(LTPS)TFT为例,分析其基本特性和其极限弯曲能力,发现沿沟道方向的张应力使其阈值电压和迁移率均降低,而垂直沟道方向的张应力影响较小。这一结论或有助于开发弯曲能力更强的柔性显示器。本文总结器件失效常见位置,并发现静态弯曲会增大器件栅极漏电流。本文还分析了剥离前后柔性工艺LTPS TFT的转移特性差异,提出解释,作为剥离工艺和可靠性研究的基础。之后,本文研究柔性器件在直流栅应力下的可靠性。先以LTPS TFT为例,重点分析剥离后柔性工艺器件的退化特性。在正栅应力下,剥离后器件展现出两阶段退化和更小的驼峰现象。本文对此提出解释,激光剥离工艺影响器件栅介质,形成缺陷态俘获电子,导致剥离后器件总是更早进入由Poole-Frenkel发射主导的第二阶段退化并且抵消驼峰效应。在负栅应力下,剥离后器件表现出更小的阈值电压变化量和亚阈值区域转移曲线异常正方向漂移。这也是由于剥离工艺使栅氧内部形成缺陷,更倾向于俘获负电荷,从而与传统负栅应力退化机制作用相互抵消。对剥离前后器件激活能的提取,验证了二者退化机制的确存在差异。此外,本文还研究了柔性非晶铟镓锌氧TFT器件的可靠性。在正栅应力下,剥离后器件退化幅度明显变小。在负栅应力下,剥离前后退化曲线必须分别用拉伸指数模型和幂函数模型拟合,且剥离后器件的退化幅度明显增大。