随着电力电子的迅猛发展，目前单一的无机和有机电介质材料满足不了电力电子行业小型化和高性化的发展需求。本文在聚酰亚胺(PI)基体中掺入铌酸钾钠粒子，研究其对聚酰亚胺陷阱能级的影响，希望能够得到高性能的电介质复合材料。本文用原位聚合法制备了掺杂含量分别为0wt%，5wt%，10wt%，15wt%的复合薄膜。并用热激电流(TSDC)方法研究了复合薄膜中的空间电荷水平和分布。热激电流谱图显示纯聚酰亚胺薄膜有α和β两个峰，而铌酸钾钠(KNN50)掺杂的复合薄膜只有一个α峰并且在高温区多出来一个峰。用近似模型估算了各个峰的陷阱参数，结果表明浅陷阱的电荷释放量水平随掺杂含量是非线性的，陷阱能量从0.879-0.968eV减小到0.549-0.839eV。这些陷阱水平的变化被认为是与铌酸钾钠粒子和PI基体之间形成的表面和界面有关系的。复合薄膜出现的那个额外的峰是与铌酸钾钠粒子的相转变有关的。随后测试了复合薄膜的耐电晕破坏性能和介电谱图。耐电晕破坏实验结果表明薄膜的耐电晕破坏能力是随着掺杂含量的增加是非线性的，当掺杂含量低于5wt%时，其耐电晕性能逐渐增加，之后逐渐下降，下降到掺杂含量为10wt%后又开始显著增加。这是与复合薄膜中的表面与界面增加和铌酸钾钠粒子对主链的破坏程度有关的。介电谱图测试结果表明，当掺杂含量低于5wt%时材料的介电常数减小，而高于10wt%时是逐渐增加的。这与影响空间电荷水平分布的原因有关。介电损耗因数是随着掺杂含量的增大而增大的，其原因主要是因为铌酸钾钠粒子在材料中引入了深陷阱，这些深陷阱在电场的作用下会极化形成偶极矩，而导致介质损耗因数的提高。