该文在Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料的新合成路线方面进行了一些有益的探讨，开发出了包括常温常压有机溶剂中的离子交换反应、溶剂热条件下单质直接反应、水引发固相交换反应方法在内的合成磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）和氮化铝（AlN）纳米晶的新方法，并且对苯热合成GaP纳米晶的反应过程进行了系统研究.此外，该文还首次把Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料应用于几种重要的有机催化反应，取得了较好的结果.该文对GaP纳米棒的生长机理做了初步分析.在分析实验结果基础上，总结出了GaP纳米晶的最优化的合成工艺条件，实现了GaP纳米晶的高产率制备，且制备的纳米晶的粒度可以根据需要进行调控.实现了GaP纳米晶的可控制备后，该文又利用谱学方法对它的性质进行了研究，发现：磷化镓纳米晶吸收光谱上的拐点大幅蓝移，禁带宽度增大.相应地，在拉曼光谱中，磷化镓的横光学声子振动模（TO）和纵光学声子振动模（LO）都移向低波数.这些结果说明GaP纳米晶有很强的量子限制效应.为了进一步简化操作步骤，排除副产物的影响，我们尝试在有机溶剂中用金属镓、铟与磷直接反应合成GaP和InP纳米晶.由于纳米材料具有大比表面积和表面原子配位不饱和特点，它作为催化剂具有很大的优势.鉴于Ⅲ-Ⅴ族纳米材料表面含有大量高活性的Ⅲ族原子，在催化反应中可以作为路易斯酸中心，为此，我们首次将GaP、InP、AlN三种纳米晶应用于几个重要的有机催化反应之中.