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CuInS2半导体纳米晶广泛应用于薄膜太阳能电池的吸收层，QD-LED的发光层，光电转换开关等领域，受到研究者的广泛关注。 本文采用简单的非注入法合成制备了黄铜矿结构和纤锌矿结构的CuInS2。用X射线粉末衍射(XRD)，X射线光电子能谱(XPS)，透射电子显微镜(TEM)，能量分散光谱(EDX)，荧光光谱，Z-Scan对纳米晶的组成、结构，和光学性质进行表征。主要内容包括： 1.以温度为讨论点，通过非注入法，以无水醋酸铜(Cu(Ac)2)为铜源，硬脂酸铟（In(St)3）为铟源，正十二硫醇(DDT)为硫源，加入油胺(OLA)为协调剂，1-十八稀(ODE)为溶剂，通过改变温度合成CuInS2量子点。用X射线粉末衍射(XRD)，X射线光电子能谱(XPS)，透射电子显微镜(TEM)和能量分散光谱(EDX)对CuInS2量子点结构，形貌，相组成进行表征。结果表明：(1)温度对CuInS2量子点的合成有较大的影响，随着温度的升高，结晶性增强，量子点的尺寸增大；(2)通过控制温度及加入调节剂油胺(OLA)可得到纤锌矿结构CuInS2量子点。(3)通过Z-Scan技术对不同浓度的纤锌矿结构CuInS2的正己烷溶液进行三阶光学非线性研究，溶于正己烷的CuInS2的三阶光学非线性随着浓度的升高而增强。 2.以时间为讨论点，通过非注入法，以无水醋酸铜(Cu(Ac)2)为铜源，硬脂酸铟(InSt3)为铟源，正十二硫醇(DDT)为硫源，1-十八稀(ODE)为溶剂在250℃条件下反应60min，120min，180min合成了CuInS2量子点。对不同时间的CuInS2量子点进行了光学测试，随着时间的延长CuInS2量子点的尺寸逐渐增大，发光光谱出现了明显的红移，展现出了量子尺寸效应。当反应温度为250℃、时间为120min时，得到4nm发红光量子点，可应用到红光QDLED的发光层。 3.以铜源为讨论点，以无水醋酸铜(Cu(Ac)2)和硬脂酸铜(CuSt2)为铜源，硬脂酸铟（In(St)3）为铟源，正十二硫醇(DDT)为硫源，1-十八稀(ODE)为溶剂，合成了CuInS2量子点。以硬脂酸铜(CuSt2)为铜源，硬脂酸铟（In(St)3）为铟源所得到的CuInS2量子点的非晶态少。并通过Z-Scan技术对CuInS2量子点的正己烷溶液进行了三阶光学非线性进行了探讨。 4.以油胺量为讨论点，通过非注入法，以无水醋酸铜(Cu(Ac)2)为铜源，硬脂酸铟（In(St)3）为铟源，正十二硫醇(DDT)为硫源，1-十八稀(ODE)为溶剂，合成了CuInS2量子点。通过改变油胺的量可以控制CuInS2量子点的形貌从金字塔形转变成球形。并通过Z-Scan技术对不同浓度的球形CuInS2的正己烷溶液进行了三阶光学非线性进行了研究。