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随着人们对大容量、高存储记录密度的磁记录介质需求与日俱增，传统的水平磁记录技术已达到了物理极限。为了解决超顺磁效应的问题，记录密度更高的垂直磁记录技术被提出。近年来，具有高磁晶各向异性能的L10-CoPt合金薄膜越来越受人们的关注。由于比特位良好的热稳定性、高矫顽力、高单轴磁晶各向异性能（4.9×107erg/cm3）等特点，面心四方结构的CoPt在超高记录密度磁记录介质方面有很大的应用潜力。本文采用直流磁控溅射的方法在P型热氧化的Si（001）基片上制备CoPt薄膜。首先，本文比较了不同原