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铒离子内层4f电子的发光波长位于1.54μm,该波长对应于石英光纤的最小损耗窗口,因此硅基掺铒发光薄膜在光互连和光电集成方面的应用引起了很大的研究兴趣。以纳米晶硅为感光剂来增强铒离子的发光得到广泛的研究,通常需要一个较高的退火温度(>900℃)来生成纳米硅,而且用纳米硅来增强铒离子在氧化铝中发光的相关研究比较少。本论文采用脉冲激光沉积制作了掺铒氧化铝／硅多层薄膜高效发光材料以及器件,在低温退火下得到了纳米晶硅,并利用纳米硅作为感光剂有效地增强了铒离子在氧化铝中的发光。通过对比掺杂铒和未掺杂