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M型钡铁氧体(BaM)具有高的磁晶各向异性、自偏置特性以及优异的化学稳定性,其在毫米波磁性器件和磁记录介质方面具有重要应用。尤其是下一代毫米波磁性器件如环行器、隔离器、滤波器服役时,BaM铁氧体将是未来毫米波磁性器件的重要骨干材料。然而,进入毫米波频段后,磁性器件的体积、重量、尺寸将会对BaM铁氧体提出更加严苛的要求,因此,传统的三维体材料将逐渐向厚膜及薄膜方向发展。为了满足下一代微波器件的需求,迫切需要具有C轴垂直取向的具有高织构度和高剩磁且具有一定厚度的BaM铁氧体薄膜。利用磁控溅射法在Al2O3(006)基片上制备具有一定厚度且织构度高的BaM薄膜,通过X射线衍射仪、场发射扫描电镜、振动样品磁强计等测试手段对薄膜结构及性能进行表征,确定了具有较好织构度的BaM薄膜的制备工艺;通过研究BaM薄膜厚度对薄膜晶体结构及磁性能的影响,确定了单层BaM薄膜的最佳厚度;利用分层溅射法制备多层BaM薄膜,分析其晶体结构、磁性能及应力等性能,获得了具有一定厚度且较好织构度的BaM双层薄膜。研究结果显示:衬底温度为500℃,溅射气压为1.4 Pa,退火温度为850℃时,所制备的BaM薄膜具有较好的C轴垂直取向;厚度在40 nm～90 nm范围的Ba M薄膜在垂直膜面方向获得了最大剩磁比和矫顽力,表现出较好的单轴磁晶各向异性;利用分层溅射法,先溅射100 nm BaM薄膜退火晶化处理作为种子层,在此基础上再溅射100 nm BaM薄膜并退火晶化,制备厚度约为200 nm的双层Ba M薄膜,并于直接溅射200 nm单层BaM薄膜进行比较,结果显示,分层溅射法有利于改善BaM薄膜的C轴垂直取向性,双层薄膜获得了更好的织构度和磁性能。