【摘 要】
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太阳能作为清洁型新能源的主题，被赞誉为人类之父，具有非常广阔的开发前景。在所有的光伏器件中，CuInS_2是直接带隙半导体材料，吸光系数较大，适合作薄膜太阳能电池的光吸收层。本文采用恒电位沉积法沉积CuInS_2薄膜，因为电沉积法的成本低，可在室温下大面积沉积。采用一步电沉积法在FTO玻璃基体上沉积p-CuInS_2薄膜；电解液为含有硫酸铜、硫酸铟、硫代硫酸钠和柠檬酸钠的硫酸盐水溶液体系，将FTO
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太阳能作为清洁型新能源的主题，被赞誉为人类之父，具有非常广阔的开发前景。在所有的光伏器件中，CuInS_2是直接带隙半导体材料，吸光系数较大，适合作薄膜太阳能电池的光吸收层。本文采用恒电位沉积法沉积CuInS_2薄膜，因为电沉积法的成本低，可在室温下大面积沉积。采用一步电沉积法在FTO玻璃基体上沉积p-CuInS_2薄膜；电解液为含有硫酸铜、硫酸铟、硫代硫酸钠和柠檬酸钠的硫酸盐水溶液体系，将FTO玻璃作为阴极，并利用9因素4水平的正交实验对电沉积CuInS_2薄膜工艺进行了优化，获得了最优的
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