铁电薄膜由于具有良好的铁电性、介电性和热释电性，因此它可被广泛地应用在存储器、电容器、感应器和探测器等功能器件中。　　本文建立了含有缺陷层和多表面层的铁电薄膜理论模型，基于横场Ising模型，根据平均场近似的方法推导了铁电薄膜的平均极化强度、居里温度、平均极化率和热释电系数的公式，详细讨论了缺陷层参量、多表面层参量和薄膜厚度对铁电薄膜相变、介电和热释电性质的影响。结果表明增强多表面层和缺陷层的赝自旋二体相互作用(Js和Jd)、减小它们的横场参量（Ωs和Ωd）和增加薄膜厚度有利于提高薄膜的平均极化强度和居里温度，从而推动薄膜的介电峰和热释电峰向高温区方向移动。缺陷层层数(nd)和表面层层数（ns）对薄膜的平均极化强度、居里温度、介电峰和热释电峰的位置的影响与Jd/Ja和Js/Ja的比值有关（Ja为体材料层的赝自二体相互作用）。此外，在Jd/Ja＜1的前提下，当Js/Ja较小时，缺陷层参量(nd、Jd和Ωd)对薄膜Js-Tc相图的影响占主要地位，而当Js/Ja较大时，多表面层参量(ns、Js和Ωs)对薄膜Js-Tc相图的影响起主导作用。同时，缺陷层参量和多表面层参量能改变薄膜极化强度的空间分布。本论文的研究成果不但丰富了铁电薄膜的理论研究内容，而且在探索和改良器件性能方面也提供了一定的理论指导。