Fano效应是物理学领域中一种熟为人知的效应,主要出现在光学和凝聚态物理中,来源于共振过程和非共振过程之间的量子干涉。量子点,尤其是耦合量子点结构为电子的相干输运提供多条路径,我们可预期在量子点结构的电子输运谱中会出现Fano效应。研究耦合量子线-量子点体系的电子输运过程中的Fano效应,这是贯穿于本论文工作始终的一条主线。本文采用非平衡态格林函数方法,对两种典型的耦合量子线-量子点结构中的Fano效应进行了较系统的理论研究,并得到了一些有意义的结果。采用同一模型,我们探究了旁接两能级量子点的量子线及耦合两能级量子点-单能级量子点输运中的Fano效应。我们发现,对于旁耦合一个两能级量子点的量子线的线性电导呈现有趣的电导降中带电导峰的现象,这种电导现象与Fano干涉效应有关。而对于耦合两量子点体系,线性电导表现为有趣的多共振现象。其中Fano相消干涉导致了两个降的发生,而三个共振电导峰则是共振隧穿的结果。Fano干涉导致电导峰的线型是典型的非洛仑兹型的。