近年来研发成功的钙钛矿型高熵氧化物因其具有多种潜在的性能而受到了许多关注。本文以高熵概念为指引,设计和制备了多种钙钛矿型高熵氧化物,并对制备的高熵钙钛矿材料的电性能及其掺杂对铌酸钾钠(KNN)无铅材料的相组成和电性能的影响进行了详细的研究。针对ABO3型钙钛矿结构,计算并得到了 B位离子等比例时可能的不同离子价态组合。以BaMeO3为例,设计出了 5种Me离子等比例时的12种高熵BaMeO3组成。计算表明12种组成的容差因子都接近1,说明这些材料具有稳定钙钛矿结构。开展了 12种五元BaMeO3高熵钙钛矿的固相合成研究。X射线衍射(XRD)结果表明,Ba(Zn,Yb,Y,W,Mo)O3、Ba(Mg,Zn,Nb,Ta,W)O3、Ba(Zn,Yb,Ti,Nb,W)O3、Ba(Zn,Yb,Nb,Ta,Sb)O3、Ba(Zn,Ti,Zr,Hf,W)O3、Ba(Zn,Ti,Zr,Nb,Ta)O3、Ba(Yb,Y,Ga,Nb,W)O3、Ba(Yb,Y,Ti,Zr,W)O3、Ba(Yb,Y,Ti,Nb,Ta)O3、Ba(Yb,Ti,Zr,Sn,Nb)O3、Ba(Ti,Zr,Hf,Sn,Ce)O3等十种组成可以制备出纯钙钛矿相。此外在Ba(Mg,Zn,Ti,W,Mo)O3、Ba(Mg,Zn,Nb,Ta,W)O3、Ba(Zn,Yb,Y,W,Mo)O3中检测到了部分有序相结构。研究了BaMeO3高熵钙钛矿的室温介电性能和高温电导行为。这些高熵钙钛矿的室温介电性能差异巨大,介电常数介于25～526之间,而介电损耗介于3%～263%之间。高温电导测试与拟合表明,BaMe03高熵钙钛矿的晶粒导电激活能Eg介于0.369eV～1.41eV之间,晶界导电激活能Egb介于0.757eV～1.94eV之间。这些结果为设计和制备的高熵钙钛矿材料的应用和改性打下了基础。最后研究了 2mol%的BaMeO3高熵钙钛矿掺杂对KNN基无铅材料的相组成和电性能的影响。相组成分析表明,所有掺杂KNN基陶瓷都能合成单一钙钛矿相,具有正交或赝立方相结构。其中Ba(Zn,Ti,Zr,Nb,Ta)O3掺杂的KNN陶瓷具有正交相结构,掺杂可以明显改善KNN的铁电和压电性能,并使相变温度向低温移动。Ba(Zn,Yb,Ti,Nb,W)O3掺杂的KNN陶瓷具有赝立方结构,材料具有较好的介电储能特性。