横向高压功率器件LDMOS有耐高压、增益大、动态范围宽、失真低和易于和低压电路工艺兼容等特点。随着半导体工艺技术的不断成熟，LDMOS越来越广泛地应用于功率集成电路及智能功率集成电路中。因此，对LDMOS器件的电学特性研究与建模有着重要实际意义。本文讨论的LDMOS结构是PDP选址驱动芯片设计的一个关键问题，该结构实现了与低压电路工艺的兼容，并满足耐压高、电流大的实际需要。 本文通过对LDMOS阈值电压、导通电阻、电流特性的深入探讨，建立了这些电学参数的精确解析模型。其中，阈值电压模型解决了沟道非均匀掺杂、短沟道效应，调阈值注入，栅边缘电容等问题。该模型不仅适用于LDMOS，也可以很好地描述所有的MOS器件阈值电压的短沟道效应，严格证明了短沟道效应会引起阈值电压的减小。导通电阻模型考虑了LDMOS的沟道横向杂质分布和漂移区杂质纵向分布的结构特点，给出了导通电阻与杂质分布参数的明确函数关系。LDMOS电流特性的研究涉及了器件电流线性区、夹断饱和区和准饱和区，并给出了简化的电流特性解析表达式。 在对LDMOS的建模过程中，本文提出了将静电系统中麦克斯韦方程用于LDMOS阈值电压的分析计算的方法，引入了许瓦兹-克利斯多菲变换来求解了有限尺寸的栅自电容，并提出了用保角变换和等电压电荷共享模型来计算漏与源的自电容的方法。本文也给出了导通电阻的等效电路及计算方法。从模拟结果来看，这些方法的采用都达到了令人满意的效果。